Trasduttori e trasmettitori
di pressione di Melt
Brevettata da Gefran:
tecnologia sensoristica IMPACT
IMPACT è acronimo per Innovative Melt Pressure ACcurate Transducer (innovativo, accurato trasduttore di pressione di melt) ed è una innovativa tecnologia per la misura di pressione in fluidi ad alta temperatura.Prodotti
- IN trasmettitori di pressione di Melt - Uscita in tensione
- IE trasmettitori di pressione di Melt - Uscita 4...20mA
- IJ Trasduttore di Pressione di Melt per Iniezione Uscita - 0-10v O Canopen
- I3 Trasmettitori di pressione di Melt - Uscita mV/V
- IX trasmettitori di pressione di Melt - atmosfera potenzialmente esplosiva
DownloadGuida all’installazione
Chip SOI
1. Introduzione
1.1 A cosa serve
1.2 Applicazioni e mercati
2. Misurazione pressione
ad alte temperature:
caratteristiche
3. Tecnologia
3.1 Chip SOI
3.2 Sistema di Package
3.3 Prestazioni globali
4. Bibliografia
Al cuore dell’ IMPACT c’è un MEMS realizzato in tecnologia Silicon on Insulator (SOI).In tecnologia SOI è possibile creare piezoresitori elettricamente isolati rispetto alla sottostante membrana in silicio da un sottile strato di ossido.
In tal modo si elimina qualsiasi corrente di perdita; tali correnti di perdita sono la primaria limitazione all’uso di silicio a temperature sopra i 120 °C.
La struttura meccanica è una membrana circolare con ispessimento centrale (“bossed”) dotata di fermo meccanico per evitare fratture in caso di sovraccarico del chip. La posizione dei piezoresistori è stata scelta per aumentare la sensibilità senza alterare gli errori di non linearità del sensore.
Il chip è realizzato in due parti rese solidali: un wafer inferiore di sostegno che conferisce robustezza meccanica al MEMS e un wafer superiore in cui sono ricavate sia la membrana sia i piezoresistori.
La membrana è ottenuta tramite microlavorazione con processo DRIE che garantisce pareti verticali con una inclinazione tra 1 e 3 ° e un’uniformità della superficie di ± 3 μm.
La membrana è ottenuta tramite microlavorazione con processo DRIE che garantisce pareti verticali con una inclinazione tra 1 e 3 ° e un’uniformità della superficie di ± 3 μm.
I piezoresistori sono drogati tramite processo di impiantazione ionica e modellati con processo di microlavorazione RIE.I due wafer opportunamente processati vengono quindi uniti tramite processo di anodic bonding.
Da ultimo viene realizzata la metallizzazione basata su siliciuri e nitrati di wolframio; la tecnica utilizzata è lo sputtering sotto vuoto. Il processo di proprietà Gefran crea metallizzazioni senza problemi di elettromigrazione e di evaporazione e garantisce contatti ohmici stabili fino a 350 °C continuativi.
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FAQ
Campi di Applicazione:
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design by timmagine | agenzia di comunicazione Brescia
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